Оперативная память 8Gb Silicon Power SP008GBLFU213B02 DDR4 2133 DIMM
Обзор
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 8 ГБ
- форм-фактор DIMM, 288-контактный
- частота 2133 МГц
- CAS Latency (CL): 15
Характеристики
Тип памяти |
DDR4
|
Тактовая частота (МГц) |
2133 МГц
|
Форм-фактор |
для компьютеров (DIMM)
|
Объем |
1 модуль 8 Гб
|
Поддержка ECC |
нет
|
Буферизованная (Registered) |
нет
|
Низкопрофильная (Low Profile) |
нет
|
Бренд |
Silicon Power
|
Количество модулей в комплекте |
1
|
Напряжение питания |
1.2 В
|
Отзывы
С этим товаром покупают
-
коэффициент теплопроводности 1.0 вт./(м-град) при -50 градусов Цельсия
-
2-ядерный процессор, Socket LGA1150
частота 3700 МГц
объем кэша L2/L3: 512 Кб/3072 Кб
ядро Haswell (2013)
техпроцесс 22 нм
-
жесткий диск для настольного компьютера
объем 1000 Гб
форм-фактор 3.5"
интерфейс SATA 6Gb/s
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 Гб
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
-
внешний жесткий диск
объем 1000 Гб
1 HDD 2.5" внутри
интерфейс USB 3.0
вес 210 г
Рекомендуем посмотреть
-
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2133 МГц
напряжение питания: 1.2 В
пропускная способность: PC17000
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
-
-
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15