Оперативная память 8Gb Corsair XMS3 CMX8GX3M1A1600C11 DDR3 1600 DIMM
Обзор
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR3 DIMM 240-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11-11-11-30
напряжение питания: 1.5 В
Характеристики
Тип памяти
DDR3
Тактовая частота (МГц)
1600 МГц
Форм-фактор
для компьютеров (DIMM)
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Corsair
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Отзывы
С этим товаром покупают
Модуль памяти для ноутбука Samsung M471B5173EB0-YK0 SO-DDR3L - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с пониженным рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 204-контактный SO-DIMM-разъем.
коэффициент теплопроводности 1.0 вт./(м-град) при -50 градусов Цельсия
1 модуль памяти DDR3L
объем модуля 4 Гб
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
жесткий диск для настольного компьютера
объем 2000 ГБ
форм-фактор 3.5"
интерфейс SATA 6Gb/s
форм-фактор: 2.5"
емкость: 250 ГБ
скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с
интерфейс подключения: SATA 6Gb/s
объем буфера: 512 МБ
Рекомендуем посмотреть
объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR3 DIMM 240-pin
тактовая частота: 1600 МГц
тайминги: 11
напряжение питания: 1.5 В
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11