Оперативная память 4GB Transcend TS512MSK64V6N DDR3 1600 SO-DIMM
Категории: Для ноутбуков (SODIMM), DDR 3
Обзор
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
Характеристики
| Тип памяти | DDR3 |
| Тактовая частота (МГц) | 1600 МГц |
| Форм-фактор | для ноутбуков (SO-DIMM) |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Бренд | Transcend |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Отзывы
-
Samsung 850 EVO 500 Гб - SSD-диск имеет контроллер Samsung MEX 400 МГц и 3D V-NAND TLC память.Представлен в форм-факторе 2.5" и имеет интерфейс SATA 6Gb/s.6 500 Р
-
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 112 500 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц1 900 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц1 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц Количество чипов каждого модуля 161 800 Р -
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 111 250 Р