Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11S8/4 DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.
Модуль памяти для ноутбука Samsung M471B5173EB0-YK0 SO-DDR3L - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с пониженным рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 204-контактный SO-DIMM-разъем.
Форм-фактор DIMM
Объем одного модуля 4 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 шт
Суммарный объем 4 ГБ
Эффективная частота 866 МГц
Пропускная способность 14900 Мб/с
Поддержка ECCЕ сть
Буферизованная (регистровая) Нет
Низкопрофильная Нет
Количество контактов 240
Модуль памяти для компьютера KINGSTON KVR16N11S8/4 DDR3 - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с рабочим напряжением в 1,5 В,имеющий 240-контактный DIMM-разъем, представлена в низко-профильном исполнении.1 450 ₽
Модуль памяти для ноутбука Samsung M471B5173EB0-YK0 SO-DDR3L - емкостью 4Гб, работающий с тактовой частотой 1,6 ГГц и пропускной способностью 12800 Мбит/с, с таймингами 11-11-11, с пониженным рабочим напряжением в 1,35 В,имеющий 204-контактный SO-DIMM-разъем.1 500 ₽
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1866 МГц поддержка ECC CAS Latency (CL): 131 700 ₽
Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБ Эффективная частота 866 МГц Пропускная способность 14900 Мб/с Поддержка ECCЕ сть Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет Количество контактов 2403 500 ₽
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1866 МГц радиатор CAS Latency (CL): 102 000 ₽