Характеристики Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663EH3-CE6 DDR2 667MHz SODIMM
Тип памяти
DDR2
Тактовая частота (МГц)
667 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
5300 Мб/с
Объем
1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Hynix
Количество модулей в комплекте
1
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Описание Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663EH3-CE6 DDR2 667MHz SODIMM
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 2 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 667 МГц
- CAS Latency (CL): 5
Отзывы (0) Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663EH3-CE6 DDR2 667MHz SODIMM
Чтобы добавить отзыв, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите
Похожие товары
