Характеристики Оперативная память 16Gb Samsung M471A2G43BB2-CWE DDR4 3200 SODIMM
Тип памяти
DDR4
Тактовая частота (МГц)
3200 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
25600 Мб/с
Объем
1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Samsung
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Количество чипов каждого модуля
8, двусторонняя упаковка
Описание Оперативная память 16Gb Samsung M471A2G43BB2-CWE DDR4 3200 SODIMM
- Оригинальный модуль памяти Samsung M471A2G43BB2-CWE
- объем памяти: 16 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 3200 МГц
- Пропускная способность 25600 Мб/с
- тайминги: 22-22-22
- напряжение питания: 1.2 В
- Теги:
- SAMSUNG
Отзывы (0) Оперативная память 16Gb Samsung M471A2G43BB2-CWE DDR4 3200 SODIMM
Чтобы добавить отзыв, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите