Тип внутренний
Объем 1000 ГБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x
Тип памяти 3D TLC NAND
Внешняя скорость записи 6000 МБ/с
Внешняя скорость считывания 7300 МБ/с
Ударостойкость при работе 1500 G
Наработка на отказ 1.8 млн. ч
IOPS записи 1000 тыс
IOPS считывания 800 тыс
TBW 1275 ТБ
DWPD 0.7 раз/день
TRIM есть
Размеры 22x80 мм