Характеристики Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-3G2R1 DDR4 3200 SODIMM
Тип памяти
DDR4
Тактовая частота (МГц)
3200 МГц
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
25600 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Бренд
Micron
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Количество чипов каждого модуля
4 односторонняя упаковка
Описание Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-3G2R1 DDR4 3200 SODIMM
- Оригинальный модуль Micron MTA4ATF51264HZ-3G2R1
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 260-контактный
- частота 3200 МГц
- CAS Latency (CL): 11
- Теги:
- micron
Отзывы (0) Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-3G2R1 DDR4 3200 SODIMM
Чтобы добавить отзыв, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите
Похожие товары
Хит!
